隨著能源效率和環(huán)保的日益重要，人們對開關(guān)電源待機效率期望越來越高，客戶要求電源制造商提供的電源產(chǎn)品能滿足綠色能源標(biāo)準(zhǔn)，而歐盟對開關(guān)電源的要求是：額定功率為0.3W~15W，15W~50W和50W~75W的開關(guān)電源，待機功耗需分別小于0.3W，0.5W和0.75W。而目前大多數(shù)開關(guān)電源由額定負(fù)載轉(zhuǎn)入輕載和待機狀態(tài)時，電源效率急劇下降，待機效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。下面北京穩(wěn)固得電子工程師介紹一下開關(guān)電源“待機功耗”問題怎么解決？

　　1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大

　　適當(dāng)設(shè)計共模電感，包括線徑和匝數(shù)

　　2、放電電阻上的損耗

　　在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織

　　3、熱敏電阻上的損耗

　　在符合其他指標(biāo)的前提下減小熱敏電阻的阻值

　　4、啟動損耗

　　普通的啟動方法，開關(guān)電源啟動后啟動電阻回路未切斷，此損耗持續(xù)存在。

　　改善方法：恒流啟動方式啟動，啟動完成后關(guān)閉啟動電路降低損耗。

　　5、與開關(guān)電源工作相關(guān)的損耗

　　6、鉗位電路損耗

　　有放電電阻存在，mos開關(guān)管每次開關(guān)都會產(chǎn)生放電損耗，

　　改善方法：用TVS鉗位如下圖，可免除電阻放電損耗(注意：此處只能降低電阻放電損耗，漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的)

　　當(dāng)然最根本的改善辦法是，降低變壓器漏感。

　　7、供電繞組的損耗

　　電源芯片是需要一定的電流和電壓進行工作的，如果Vcc供電電壓越高損耗越大。

　　改善方法：由于IC內(nèi)部消耗的電流是不變的，在保證芯片能在安全工作電壓區(qū)間的前提下盡量降低Vcc供電電壓!

　　8、變壓器的損耗

　　由于待機時有效工作頻率很低，并且一般限流點很小，磁通變化小，磁芯損耗很小，對待機影響不大，但繞組損耗是不可忽略的。

　　9、變壓器繞組引起的損耗

　　繞組的層與層之間的分布電容的充放電損耗(分布電容在開關(guān)MOS管關(guān)斷時充電，在開關(guān)MOS管開通時放電引起的損耗。)

　　當(dāng)測試mos管電流波形時，剛開啟的時候有個電流尖峰主要由變壓器分布電容引起。

　　改善方法：在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來減少層間分布電容。

　　10、開關(guān)管MOSFET上的損耗

　　mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗，驅(qū)動損耗。其中在待機狀態(tài)下最大的損耗就是開關(guān)損耗。

　　改善辦法：降低開關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片(在空載或很輕負(fù)載的情況下芯片進入間歇式振蕩)

　　11、整流管上的吸收損耗